| Electrochemical etching of metal wires in low-stress electric contact using a liquid metal electrode to fabricate tips for scanning tunneling microscopy T Nishimura, AMA Hassan, M Tomitori Applied surface science 284, 715-719, 2013 | 11 | 2013 |
| Local protrusions formed on Si (111) surface by surface melting and solidification under applied tensile stress T Nishimura, M Tomitori Applied Physics Letters 109 (12), 2016 | 8 | 2016 |
| Adsorption State of 4,4′′-Diamino-p-terphenyl through an Amino Group Bound to Si(111)-7 × 7 Surface Examined by X-ray Photoelectron Spectroscopy and … T Nishimura, A Itabashi, A Sasahara, H Murata, T Arai, M Tomitori The Journal of Physical Chemistry C 114 (25), 11109-11114, 2010 | 8 | 2010 |
| Silicon protrusions with caps containing precipitates of iron silicides fabricated via liquid-phase epitaxy under a temperature distribution with a local maximum caused by … T Nishimura, M Tomitori Japanese Journal of Applied Physics 59 (8), 085501, 2020 | 6 | 2020 |
| Microanalysis of silicon protrusions with a titanium cap formed via surface melting and solidification under applied tensile stress T Nishimura, M Tomitori Japanese Journal of Applied Physics 58 (2), 025501, 2019 | 6 | 2019 |
| Fabrication of Si protrusions by local melting of a narrow current path on a Si wafer via resistive heating T Nishimura, M Tomitori Japanese Journal of Applied Physics 60 (12), 126506, 2021 | 4 | 2021 |
| Effect of a magnetic field on fabrication of Si protrusions by local surface melting of a narrow current path on a Si wafer via resistive heating T Nishimura, M Tomitori Japanese Journal of Applied Physics 62 (3), 035503, 2023 | 2 | 2023 |
| Stable alignment of 4, 4 ″-diamino-p-terphenyl chemically adsorbed on a Si (001)-(2× 1) surface observed by scanning tunneling microscopy AMA Hassan, T Nishimura, A Sasahara, H Murata, M Tomitori Surface science 630, 96-100, 2014 | 2 | 2014 |
| Thermal Transformation of 4,4″-Diamino-p-terphenyl on a Si(111)-7 × 7 Surface Analyzed by X-ray Photoemission Spectroscopy and Scanning Tunneling … T Nishimura, A Sasahara, H Murata, T Arai, M Tomitori The Journal of Physical Chemistry C 118 (43), 25104-25109, 2014 | 2 | 2014 |
| Fabrication of a sharp Si protrusion with a faceted apex grown from a surface-melted silicon wafer under high electric and magnetic fields: application to field emission … T Nishimura, M Tomitori Japanese Journal of Applied Physics 63 (6), 065505, 2024 | 1 | 2024 |
| In situ observation of formation of Si protrusions by local melting of a Si narrow current path using resistive heating together with electron beam irradiation T Nishimura, M Tomitori Japanese Journal of Applied Physics 61 (6), 065508, 2022 | 1 | 2022 |
| 仕分け作業を題材としたロボットハンドリング実習の試み 西村高志 工学教育 72 (5), 5_81-5_84, 2024 | | 2024 |
| レゴデュプロとブレッドボードによるロボット教材の開発と試行錯誤型実習の試み 西村高志， 川口雅司 工学教育 71 (3), 3_90-3_93, 2023 | | 2023 |
| 局所応力印加下での金属蒸着表面液相エピタキシャル成長による突起構造形成 西村高志， 鈴木啓耀， 富取正彦 日本表面真空学会学術講演会要旨集 2019 年日本表面真空学会学術講演会, 3Fa12, 2019 | | 2019 |
| 高温・局所歪印加によるシリコン突起構造の形成と先端部への金属キャップ形成 西村高志， 富取正彦 表面科学学術講演会要旨集 2017 年真空・表面科学合同講演会, 5, 2017 | | 2017 |
| 電子ビームを用いた局所溶融によるシリコンの微細加工 西村高志， 小島靖彦 精密工学会学術講演会講演論文集 2015 年度精密工学会春季大会, 843-844, 2015 | | 2015 |
| 24pCC-3 Si (001) に吸着した DAT の STM 像探針バイアス依存性 (24pCC 表面界面構造, 領域 9 (表面・界面, 結晶成長)) 小田将人， 西村高志， 笹原亮， 村田英幸， 新井豊子， 富取正彦 日本物理学会講演概要集 67.1. 4, 936, 2012 | | 2012 |
| 23pHA-9 Si (001) 表面における DAT 分子の電子状態 (23pHA 表面界面電子物性 (シミュレーション), 領域 9 (表面・界面, 結晶成長)) 小田将人， 西村高志， 笹原亮， 村田英幸， 新井豊子， 富取正彦 日本物理学会講演概要集 66.2. 4, 933, 2011 | | 2011 |
| π 共役系分子で界面制御した Si/有機半導体素子の製作と評価 西村高志， 新井豊子， 村田英幸， 笹原亮， 富取正彦 応用物理学会学術講演会講演予稿集 第 58 回春季応用物理学関係連合講演会, 2403-2403, 2011 | | 2011 |
| 26pTG-6 Si (001) 表面における DAT 分子の吸着構造と電子状態 (26pTG 表面界面電子物性 (シミュレーション), 領域 9 (表面・界面, 結晶成長)) 小田将人， 西村高志， 笹原亮， 村田英幸， 新井豊子， 富取正彦 日本物理学会講演概要集 66.1. 4, 917, 2011 | | 2011 |
