| High-responsivity terahertz detection by on-chip InGaAs/GaAs field-effect-transistor array VV Popov, DM Ermolaev, KV Maremyanin, NA Maleev, VE Zemlyakov, ... Applied Physics Letters 98 (15), 2011 | 66 | 2011 |
| Optimization of the parameters of HEMT GaN/AlN/AlGaN heterostructures for microwave transistors using numerical simulation VG Tikhomirov, VE Zemlyakov, VV Volkov, YM Parnes, VN Vyuginov, ... Semiconductors 50, 244-248, 2016 | 40 | 2016 |
| Miniature high-power nanosecond laser diode transmitters using the simplest possible avalanche drivers S Vainshtein, V Zemlyakov, V Egorkin, A Maslevtsov, A Filimonov IEEE Transactions on Power Electronics 34 (4), 3689-3699, 2018 | 28 | 2018 |
| Integrated array of gas sensors VI Anisimkin, RG Krystal, AV Medved, E Verona, VE Zemlyakov Electronics Letters 34 (13), 1360-1361, 1998 | 22 | 1998 |
| Collapsing-field-domain-based 200 GHz solid-state source SN Vainshtein, G Duan, VS Yuferev, VE Zemlyakov, VI Egorkin, ... Applied Physics Letters 115 (12), 2019 | 18 | 2019 |
| Теоретические и экспериментальные исследования вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик HEMT структур и полевых транзисторов ЕА Тарасова, ЕС Оболенская, AB Хананова, СВ Оболенский, ... Физика и техника полупроводников 50 (12), 1599-1604, 2016 | 16 | 2016 |
| Электрохимическое вольт-емкостное профилирование концентрации свободных носителей заряда в HEMT-гетероструктурах на основе соединений InGaAs/AlGaAs/GaAs ПН Брунков, АА Гуткин, МЭ Рудинский, ОИ Ронжин, АА Ситникова, ... Физика и техника полупроводников 45 (6), 829-835, 2011 | 15 | 2011 |
| Исследование свойств монокристаллического алмаза, выращенного из газовой фазы на подложках из природного алмаза АА Алтухов, АЛ Вихарев, АМ Горбачёв, МП Духновский, ВЕ Земляков, ... Физика и техника полупроводников 45 (3), 403, 2011 | 15 | 2011 |
| Исследование распределения электронов в GaN и GaAs структурах после -нейтронного облучения ЕА Тарасова, AB Хананова, СВ Оболенский, ВЕ Земляков, ... Физика и техника полупроводников 50 (3), 331-338, 2016 | 14 | 2016 |
| Terahertz detection in a slit-grating-gate field-effect-transistor structure DM Yermolayev, KM Marem’yanin, DV Fateev, SV Morozov, NA Maleev, ... Solid-state electronics 86, 64-67, 2013 | 14 | 2013 |
| Electrochemical capacitance-voltage profiling of the free-carrier concentration in HEMT heterostructures based on InGaAs/AlGaAs/GaAs compounds PN Brunkov, AA Gutkin, ME Rudinsky, OI Ronghin, AA Sitnikova, ... Semiconductors 45, 811-817, 2011 | 14 | 2011 |
| Wide-aperture detector of terahertz radiation based on GaAs/InGaAs transistor structure with large-area slit grating gate KV Marem’yanin, DM Ermolaev, DV Fateev, SV Morozov, NA Maleev, ... Technical Physics Letters 36, 365-368, 2010 | 14 | 2010 |
| Detection of terahertz radiation by tightly concatenated InGaAs field-effect transistors integrated on a single chip VV Popov, DM Yermolaev, KV Maremyanin, VE Zemlyakov, NA Maleev, ... Applied Physics Letters 104 (16), 2014 | 13 | 2014 |
| Homoepitaxial single crystal diamond grown on natural diamond seeds (type IIa) with boron-implanted layer demonstrating the highest mobility of 1150 cm2/V s at 300 K for ion … AK Ratnikova, MP Dukhnovsky, YY Fedorov, VE Zemlyakov, ... Diamond and related materials 20 (8), 1243-1245, 2011 | 12 | 2011 |
| Исследование влияния параметров затворной области на статические характеристики полевых СВЧ-транзисторов на основе псевдоморфных гетероструктур AlGaAs–InGaAs–GaAs ВГ Тихомиров, НА Малеев, АГ Кузьменков, ЮВ Соловьев, ... Физика и техника полупроводников 45 (10), 1405, 2011 | 12 | 2011 |
| Interferometrically enhanced sub-terahertz picosecond imaging utilizing a miniature collapsing-field-domain source SN Vainshtein, G Duan, VA Mikhnev, VE Zemlyakov, VI Egorkin, ... Applied Physics Letters 112 (19), 2018 | 10 | 2018 |
| Nanosecond miniature transmitters for pulsed optical radars AV Filimonov, VE Zemlyakov, VI Egorkin, AV Maslevtsov, MC Wurz, ... Internet of Things, Smart Spaces, and Next Generation Networks and Systems …, 2017 | 10 | 2017 |
| Blue-green InGaN/GaN light-emitting diode with mesh-like top metal electrode Y Kholopova, I Khmyrova, S Larkin, V Zemlyakov, V Egorkin, ... Microelectronic Engineering 174, 80-84, 2017 | 9 | 2017 |
| 3-D properties of the switching transient in a high-speed avalanche transistor require optimal chip design G Duan, SN Vainshtein, JT Kostamovaara, VE Zemlyakov, VI Egorkin IEEE Transactions on Electron Devices 61 (3), 716-721, 2014 | 9 | 2014 |
| Многофункциональная МИС с малым энергопотреблением на основе 2-уровневых pHEMT для перспективных модулей АФАР ФЕ Щербаков, ЮМ Богданов, КВ Дудинов, ВЕ Земляков, ВА Красник, ... Микроэлектроника СВЧ: Сборник трудов конференции. Санкт-Петербург, 4-7, 2012 | 9 | 2012 |
